近日，实验型喷雾干燥厂家有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。 第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料。与传统的第一代、第二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，是世界各国半导体研究领域的热点。 目前，第三代半导体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是照明、家用电器、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对这种高性能的半导体材料有着极大的需求。根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。 科研人员披荆斩棘，冲破国外技术封锁 2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心”;同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟;欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。 基于第三代半导体的广阔应用前景、巨大的市场需求和经济效益，继半导体照明以后，美国将第三代半导体材料的电子电力器件应用提升到国家战略的高度，确保美国在这一领域的优势地位。由于第三代半导体材料及其制作的器件的优越性、实用性和战略性，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点。目前美欧日具备较为成熟的GaN半导体材料产业体系。 目前我国第三代半导体材料市场仍以日美欧厂商为主角，但近几年我国已经开始大力扶持第三代半导体产业。在国家 “863计划”，《国家半导体照明工程》《“十三五”材料领域科技创新专项规划》等政策的支持下，第三代半导体的研究取得了一系列突破性进展。